一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备
[简介]: 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,加热在熔炼坩埚中的造渣剂,澳晶硅材料报价,并使其保持液态,同时通过另一小坩埚中熔化高硼、高金属的多晶硅料形成多晶硅熔液;将多晶硅熔液连续导...
一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备
[简介]: 本实用新型公开了一种多晶硅锭定向凝固炉抽气过滤器,涉及多晶硅定向凝固炉真空系统抽气管道,在抽气管道中间设置可过滤固体颗粒杂质的过滤器。所述过滤器的结构是:过滤器容筒的中间设置有滤网,过滤器容筒的一端密封。
针对常规铸锭方式所生产的多晶硅锭位错密度高、晶界无规则分布和晶粒分布不均匀等问题,国内部分铸锭厂家借鉴了类单机的生长工艺,通过在坩埚底部铺设碎多晶硅料等方法,利用硅料半熔工艺制得了晶粒分布均匀的高效多晶硅锭,其中较为**的如闽台中美矽晶的A3+硅片,国内的协鑫S2+和赛维的M2+硅片等。虽然利用半熔引晶生长技术,可以获得位错密度低、晶界结构规则且晶粒分布均匀的高效多晶硅锭,但存在以下缺陷:(1)半熔引晶生长工艺在熔化阶段,需要通过插入高纯石英棒来控制硅料的熔化高度,操作难度高;(2)半熔引晶生长工艺 由于在熔化阶段存在部分未熔化硅料,辽宁澳晶硅材料,导
致硅锭底部的硅料凹凸不平整,澳晶硅材料加工,且在侧面有气孔存在,使得硅料难以打磨回收再利用,导致硅料损耗较大;(3)半熔引晶生长工艺由于底部有未熔化的硅料,导致单锭的硅料有效利用部分相较传统硅锭生产工艺有明显降低,且加工成本较高,不利于光伏平价上网目标的实现。
化学性质/多晶硅
灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢i氟酸和硝i酸的混酸中,不溶于水、硝i酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,澳晶硅材料优质商家,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是较为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯i化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。